Генеральный директор компании Intel — Пэт Гелсингер — на конференции Manufacturing подтвердил, что темпы развития технологий полупроводниковой промышленности замедлились. Сегодня двукратное увеличение транзисторов происходит примерно раз в три года, что значительно отстает от темпов, предписанных “законом Мура”, согласно которому удвоение должно происходить каждые два года.
В ходе выступления Гелсингер также выдвинул стратегии, направленные на преодоление новых технологических вызовов. Компания Intel акцентирует внимание на развитии технологий 2,5D и 3D-упаковки чипов, таких как Foveros, чтобы достичь более высокой плотности транзисторов.
Гелсингер признал, что современные технологические процессы отличаются слабым улучшением плотности и требуют больше времени. Однако он уверяет, что Intel сможет создать чип с 1 триллионом транзисторов к 2030 году, благодаря новым технологиям и разработкам в сфере полупроводников.
Тем не менее, Гелсингер также отметил экономические вызовы, связанные с реализацией новых технологий, указав на увеличение затрат на строительство фабрик в два раза за последние годы.