Ученые из Университета Фудань (Шанхай) презентовали энергонезависимое запоминающее устройство нового поколения — PoX, способное обрабатывать данные за рекордные 400 пикосекунд. Это в 100 000 раз быстрее, чем у предыдущих разработок в аналогичном классе устройств.
Главной инновацией стала замена кремния на графен и применение зон Дирака, что позволило реализовать технологию «суперинжекции» — практически неограниченной передачи заряда в запоминающий слой. Благодаря этому удалось преодолеть фундаментальные ограничения скорости флэш-памяти.
Разработка может радикально повлиять на рынок высокопроизводительных вычислений, включая сферу искусственного интеллекта, где требования к скорости передачи данных постоянно растут. Устройство сочетает в себе сверхскорость и энергоэффективность, открывая перспективы для создания новых поколений ИИ-систем и потребительской электроники.